面對前所未有的情況，強心苷和皂苷的親水性比較一些作為替代品而出現的氯代烴類清洗劑、水性清洗劑和烴類溶劑存在毒性大、水處理繁瑣、清洗效果不佳、難以干燥、安全性不足等弊端。阻礙了國內清潔行業的發展。另外，目前市場上的超聲波清洗機沒有重整效果，只能清洗表面可見的一部分，所以工藝上的各種缺陷都會導致等離子表面清洗機等高科技產品的誕生。 .等離子炬用于產生等離子并將其應用于正在處理的產品（以產生冷等離子）。

通過低溫等離子體表面處理，皂苷的親水性材料表面發生多種的物理、化學變化，或產生刻蝕而粗糙，或形成致密的交聯層，或引入含氧極性基團，使親水性、粘結性、可染色性、生物相容性及電性能分別得到改善。在適宜的工藝條件下處理材料表面，使材料的表面形覆和印刷。在電極兩端施加交流高頻高壓，使兩電極間的空氣產生氣體弧光放電而形成等離子區。

等離子體中含有大量的電子、離子、激發原子、分子、自由基等活性粒子。這些活性粒子與高分子材料相互作用，皂苷的親水性在材料表面引起氧化、還原、開裂、交聯和聚合。物理化學反應優化材料的表面性能，提高表面的吸濕性（或疏水性）、染色性、粘附性、抗靜電性能和生物相容性。 Plasma 提供高分子材料 PTFE、PE 電池隔膜、硅橡膠和聚酯的表面改性。等離子體工作條件對提高PITFE材料表面的親水性有顯著影響。

經常應用在引線鍵合，皂苷的親水性作用機制芯片粘接銅引線框架，PBGA等工藝中。 如果想增強腐蝕效果，就請通入氧氣（O2）。通過配合氧氣（O2）在真空腔清洗，可有效的去除有機污染物，比如光刻膠等。通入氧氣（O2）比較多用于高精密的芯片粘接，光源清洗等工藝。 還有一些比較難去除的氧化物可利用氫氣（H2）配合清洗，條件是要在密閉性非常好的真空情況下使用。

強心苷和皂苷的親水性比較

等離子表面處理設備FC-CBGA封裝工序和引線連接TBGA的封裝工藝流程:一、等離子表面處理設備FC-CBGA封裝工序①陶瓷基片FC-CBGA的基片為很多層陶瓷基片，其制備比較困難。由于襯底的布線密度高，間距窄，通孔也多，以及對襯底共面的要求高等原因。其具體工序為：先將很多層陶瓷片板材高溫共燒成很多層陶瓷金屬化板材，再在板材上制作很多層金屬線，然后電鍍等。

通過在電子元件表面涂上一層超薄、長期穩定和選擇性的防腐涂層，可以保護電子元件在極端氣候條件下免受腐蝕和損壞。。大家知道，PTFE是一種聚四氟乙烯材料，其特點是化學穩定性高、結晶度高、分子結構對稱性高，但材料的表面能比較低，濕度比較低，一般在20s左右. PCB 行業通常使用等離子清洗機來活化材料表面和孔壁。這提高了孔壁與鍍銅層之間的結合力，提高了PTFE材料表面的潤濕性。

40kHz的自偏置約為0V, 13.56mhz的自偏置約為250V, 20MHz的自偏置更低。這三種激勵頻率具有不同的機制。40kHz時的反應是物理反應，13.56mhz時的反應是物理反應有物理反應，也有化學反應。20MHz有物理反應，但化學反應更重要。需要活化(或改性)的材料應在13.56mhz或20MHz等離子體中清洗。三種激勵頻率的機理不同。

物理反應機制是活性顆粒轟擊待清潔表層，使污物脫離表層，從而被真空泵吸走；化學反應機制是各種活性顆粒和污物化學反應形成揮發性物質，然后由真空泵吸走揮發性物質。

皂苷的親水性

加壓意味著等離子體密度增大，皂苷的親水性作用機制粒子能級均值降低。對化學作用為主的等離子體來說，密度的增大可顯著提高等離子體系統的清洗速度，而對物理作用為主的等離子體清洗系統效果不明顯。另外，壓力變化也會導致等離子體清洗反應機制發生變化。如CF4/O2等離子體用于硅片蝕刻工藝，在低壓力下起主導作用，而隨著壓力的增大，化學蝕刻作用逐漸增強，并逐漸占據主導地位。