1.4 氧化物 半導體圓片暴露在含氧氣及水的環境下外表會構成天然氧化層。這層氧化薄膜不但會妨礙半導體制作的許多工步,還包含了某些金屬雜質,在一定條件下,它們會轉移到圓片中構成電學缺點。這層氧化薄膜的去除常選用稀氫氟酸浸泡完結。 等離子清洗機在半導體晶圓清洗工藝上的應用 等離子體清洗具有工藝簡單、操作便利、沒有廢料處理和環境污染等問題。但它不能去除碳和其它非揮發性金屬或金屬氧化物雜質。
用等離子體進行物理清洗不會產生氧化副作用，龍巖等離子清洗機裝置分子泵價格表保持被清洗物體的化學純度，并具有各向異性腐蝕作用。 3.3 反應離子腐蝕化學清洗和物理清洗各有優缺點。當這兩種機制在反應離子腐蝕中結合起來時，物理和化學反應都起著重要作用，并相互促進。選擇好、清洗速度快、均勻度好、方向性好。
6、設備組合性強：“低溫等離子體”產品重量輕，龍巖等離子清洗裝置羅茨真空泵定制體積小，可按場地要求立放、臥放，可根據廢氣濃度、流量、成份進行串、并組合設計達到完全的廢氣凈化。 7、設備使用壽命長：本設備由不銹鋼材，銅材、鉬材、環氧樹脂等材料組成，抗氧化性強，對酸、堿氣體、潮濕環境等具有良好的防腐性能。使用壽命長達15年以上。
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當能量密度超過0 kJ/mol時，CH4轉化率和C2烴產率隨著增加而迅速增加。能量密度慢。在這個反應中，能量密度的增加并不意味著能量效率的提高，而是呈下降趨勢。因此，從能源效率的角度來看，您需要選擇合適的能量密度。 N2添加對等離子體中CH轉化反應的影響：隨著供氣中N2濃度的增加，CH4轉化率增加，說明惰性氣體中有N2。對 CH4 轉換很有用。
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