一種來自空間的非均勻性，親水性聚合物作用例如密度、溫度、磁場的梯度等，這會引起漂移，有可能激發起不穩定性。另一種來自速度空間的不均勻性，如速度、溫度、壓力的各向異性。另外，如波和波相互作用等，也可能引起微觀不穩定性。總之，偏離熱平衡態的等離子體具有多余的自由能，必然要把它釋放出來以趨向平衡態。自由能的釋放就有可能驅動微觀不穩定性。  有微觀不穩定性的等離子體的特征是出現不斷增長的漲落現象。

等離子清洗機外置離心泵，親水性聚氨酯和sbr運行的清潔腔內的等離子體突然沖刷干凈表面，短時間的清洗可使(機內)污染物(成品)全部清潔干凈，同時等離子體被離心泵抽走，潔凈度達到分子水平。等離子清洗機不僅要有超凈效果，還要根據需要改變材料表面的性能。等離子體作用于材料表面，重新結合表面分子的化學鍵，形成新的表面特征。。

氧氣作為氣體參與反應發生氧化反應，親水性聚合物作用材料表面的有機物被氧氣電離產生的氧離子氧化生成二氧化碳和水。　　非反應性氣體電離后主要靠離子的物理轟擊作用，去除污染物，有些氣體在清洗的同時還可以使材料表面性質發生變化，例如氮氣等離子可以改善金屬材料的硬度和耐磨性。

采用低溫等離子處理器對亞麻布紡織物做好處理，親水性聚合物作用經熱水浸泡后，紡織物印染特性良好，不影響紡織物的力學性能。低溫等離子處理器處理能提高羊毛紡織物的均勻性和上色特性。毛染液經空氣等離子體處理后，毛染量和廢水中鹵代污染物均減少。低溫等離子處理器可以提高聚酯的染色牢度。采用NH3等離子體處理聚酰胺纖維，再用酸性染料上色，可提高其色牢度和著色率。。

親水性聚合物作用

隨著消費者對塑料制品要求的提高，塑料制品的多樣化和快速變化成為未來趨勢，對工藝的要求也越來越高。等離子體發展勢頭強勁，等離子體已廣泛應用于塑料、橡膠等行業，具體表現在以下幾個方面。一、增加油墨粘度，提高印刷質量等離子技術用于移印、絲網印刷、膠印等常用印刷技術。對于難以印刷的材料表層，如聚丙烯、聚乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、玻璃、金屬等，只有采用等離子預處理技術，才能使印刷油墨長期無溶劑，粘結牢固。

待處理物體；金屬、半導體、氧化物、高分子材料（聚丙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯、聚酰胺、聚酯、環氧樹脂、其他聚合物等）都可以用等離子處理； (6)使用等離子清洗時可能會改變材料本身的表面性能，如提高表面的潤濕性和提高薄膜的附著力，同時去污。 3.1 等離子灰化表面有機層如下圖所示，化學沖擊作用于基材表面。在真空和瞬時高溫下，污染物會部分蒸發，撞擊會粉碎污染物。用于高能離子和真空抽屜。

當硬掩模的有效高度不夠時，硅鍺缺陷也會在頂部多晶硅上生長，因此控制FinFET多晶硅中的刻蝕輪廓形貌尤為重要。作為三維晶體管，刻蝕多晶硅必須考慮溝道因素，鰭片本身是體硅材料。等離子體表面處理器蝕刻多晶硅時，雖然有氧化硅保護，但仍需考慮鰭片本身損失。在刻蝕過程中，通常在距鰭片頂部200～300處切換到傳統的高選擇性HBr/O2步驟，需要較低的偏置功率。

正確地說，過蝕刻過少會導致多晶硅柵極側壁底部的長腿（FOOTING），過多過蝕刻會惡化頂部的頸縮效應。等離子表面處理機的過刻蝕步驟采用HBR/O2刻蝕工藝，對柵控氧化硅具有高刻蝕選擇性，但仍容易造成硅通孔（PITTING）和硅損傷。 TSV的形成通常是由于主刻蝕步驟中的過度刻蝕、與柵控氧化硅的接觸、或HBR/O2工藝優化不足導致刻蝕選擇性降低。

親水性聚氨酯和sbr

多晶硅柵極蝕刻在柵極氧化硅處停止，親水性聚合物作用因此在主蝕刻步驟中使用 CF4 氣體蝕刻摻雜硅的上半部分后，蝕刻聚碳酸酯柵極下半部分的剩余 20%。為了在等離子表面處理器中實現多晶硅蝕刻和門控氧化硅的高選擇性，必須使用 HBr / O2 氣體蝕刻。如前所述，HBr/O2對N型摻雜多晶硅的刻蝕速率比未摻雜多晶硅高20%，容易出現頸縮效應，因此HBr/O2的過刻蝕量需要嚴格控制。去做吧。